NAND:
Все транзисторы кроме адресуемого открыты. Если на затворе есть заряд,
то транизстор не открывается и на линии будет высокий уровень. Иначе -
низкий уровень
NOR:
Неадресуемые транзисторы закрыты, на затворе адресуемых - высокий
потенциал. Если на затворе выбранного транзистора ест заряд, то
транзистор закрыт, а на его линии - логическая единица
^ Схема Flash контроллера
NVRAM - Non-Volatile Random Access Memory - энергонезависимая
оперативная память LPSRAM (Low Power SRAM), благодаря встроенной
литиевой батарейке независимо от питания сохраняющая данные
Умеет через интегрированную схему переключатся на резервное питание ака
батарейку
// - Петрович, у нас тут память энергозависимая, хули делать???
// - Въеби батарейку не еби мозга ёбана
+ Быстрая запись
+ Бесконечные циклы перезаписи
+ Блять какая быстрая охуеешь
- При доступе надо восстанавливать информацию
Основа FRAM - конденсатор, состоящий из 2 пластин с тонким слоем
ферроэлектрика между ними. К обкладкам конденсатора прикладывается
потенциал, поляризующий ферроэлектрик. Направление поляризации - по сути
0 или 1.
Если заново приложить заряд, заряд на реполяризацию будет больше или
меньше, из чего можно понять, какое там значение.
Да, придётся перезаписывать обратно, но мы один хер уже получили
значение, мы его не теряем. И так как это всё основано на свойствах
материалов, все операции практически моментальные - дай бог
наносекунда
// Ебейше неёмкие, ебейше дорогие. Но прикольно, физика :3
+ Сверхвысокие скорости - 2-3нс
+ Низкое энергопотребление
+ Неограниченные перезаписи
Значение в ячейке определяется через сопротивление магнитного поля в
нём
Кэш-память - ассоциативное ЗУ, позволяет сгладить разрыв в скоростях
работы процессора и оперативки. Выборка по физическому адресу ОП
На эффективность кэш-памяти влияют:
Способы отображения оперативки в кэш:
Сегнетоэлектрики, особый класс диэлектриков, обладают спонтанной поляризацией, которая может быть обращена внешними полями.↩︎