NAND Flash VS NOR Flash

Pasted image 20250424142608.png
NAND:
Все транзисторы кроме адресуемого открыты. Если на затворе есть заряд, то транизстор не открывается и на линии будет высокий уровень. Иначе - низкий уровень

NOR:
Неадресуемые транзисторы закрыты, на затворе адресуемых - высокий потенциал. Если на затворе выбранного транзистора ест заряд, то транзистор закрыт, а на его линии - логическая единица

Pasted image 20250424144305.png
^ Схема Flash контроллера

ПЗУ типа NVRAM

NVRAM - Non-Volatile Random Access Memory - энергонезависимая оперативная память LPSRAM (Low Power SRAM), благодаря встроенной литиевой батарейке независимо от питания сохраняющая данные
Умеет через интегрированную схему переключатся на резервное питание ака батарейку

// - Петрович, у нас тут память энергозависимая, хули делать???
// - Въеби батарейку не еби мозга ёбана

Pasted image 20250424145011.png

ПЗУ на основе сегнетоэлектрической1 плёнки - FRAM

+ Быстрая запись
+ Бесконечные циклы перезаписи
+ Блять какая быстрая охуеешь
- При доступе надо восстанавливать информацию

Основа FRAM - конденсатор, состоящий из 2 пластин с тонким слоем ферроэлектрика между ними. К обкладкам конденсатора прикладывается потенциал, поляризующий ферроэлектрик. Направление поляризации - по сути 0 или 1.
Если заново приложить заряд, заряд на реполяризацию будет больше или меньше, из чего можно понять, какое там значение.
Да, придётся перезаписывать обратно, но мы один хер уже получили значение, мы его не теряем. И так как это всё основано на свойствах материалов, все операции практически моментальные - дай бог наносекунда

// Ебейше неёмкие, ебейше дорогие. Но прикольно, физика :3

Магнитнорезистивные ПЗУ - MRAM

+ Сверхвысокие скорости - 2-3нс
+ Низкое энергопотребление
+ Неограниченные перезаписи

Pasted image 20250424150327.png
Значение в ячейке определяется через сопротивление магнитного поля в нём
Pasted image 20250424151028.png

Принципы построения кэш-памяти

Кэш-память - ассоциативное ЗУ, позволяет сгладить разрыв в скоростях работы процессора и оперативки. Выборка по физическому адресу ОП
Pasted image 20250424152138.png
На эффективность кэш-памяти влияют:

Способы отображения оперативки в кэш:

Pasted image 20250424152353.png


  1. Сегнетоэлектрики, особый класс диэлектриков, обладают спонтанной поляризацией, которая может быть обращена внешними полями.↩︎